Tranzystory polowe (wyszukane: 2047)

1    61  62  63  64  65  66  67  68  69 
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
ZXMS6004FFTA Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 600mOhm; 1,3A; 1,5W; -40°C ~ 150°C;
ZXMS6004FFTA RoHS || ZXMS6004FFTA SOT23F
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
ZXMS6004FFTA RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23Ft/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,7600 2,7600 2,2100 1,9000 1,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 600mOhm 1,3A 1,5W SMD -40°C ~ 150°C SOT23F DIODES
IRF7807 Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 25mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7807PBF; IRF7807TRPBF; SP001570502; IRF7807PBF-GURT;
IRF7807TR RoHS || IRF7807 SOP08
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF7807TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,9000 3,4300 2,9200 2,6700 2,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 25mOhm 8,3A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 International Rectifier
IRLL014TRPBF Tranzystor N-MOSFET; 60V; 10V; 280mOhm; 2,7A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
IRLL014TRPBF RoHS || IRLL014TRPBF SOT223
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
IRLL014TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1060 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3700 1,4400 1,1100 0,9970 0,9490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 10V 280mOhm 2,7A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 VISHAY
IRLML6401 Tranzystor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401PBF;
IRLML6401TR RoHS || IRLML6401 SOT23
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
IRLML6401TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
43 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0300 0,5660 0,3740 0,3120 0,2930
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 12V 8V 125mOhm 4,3A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VBSEMI ELEC
BSS138A-TP Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 1,6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C;
BSS138A-TP RoHS || BSS138A-TP SOT23
Producent:
Micro Commercial Components Corp.
Symbol Producenta:
BSS138A-TP RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8250 0,3920 0,2200 0,1670 0,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 50V 20V 1,6Ohm 220mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MCC
SI2304BDS Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB;
SI2304BDS-T1-GE3 RoHS || SI2304BDS SOT23
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
SI2304BDS-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,6500 1,0800 0,7750 0,6780 0,6350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 105mOhm 2,6A 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VBsemi
IRFL024Z Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 57,5mOhm; 5,1A; 2,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL024ZTRPBF; IRFL024ZPBF; IRFL024ZPBF-GURT;
IRFL024ZTRPBF RoHS || IRFL024Z SOT223
Producent:
NKGLBDT
Symbol Producenta:
IRFL024ZTRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,6400 0,9110 0,7190 0,6530 0,6320
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 20V 57,5mOhm 5,1A 2,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon (IRF)
1    61  62  63  64  65  66  67  68  69 

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.